IGBT及第三代半导体器件全参数测试

简要描述：广电计量专家团队深入解读IGBT测试相关标准，建立功率模块可靠性验证技术能力，可以为功率半导体产业上下游企业提供IGBT及第三代半导体器件全参数测试验证报告。

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详细介绍

服务范围

IGBT及第三代半导体器件全参数测试范围：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。

检测标准

l AEC-Q101分立器件认证

l MIL-STD-750半导体器件试验?法

l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l GB/T29332半导体器件-分立器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

l AQG324功率模块?规认证

检测项目

试验类型	试验项?
静态参数	BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…
动态参数	td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…
其他参数	Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…

相关资质

CNAS

服务背景

功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步?商业应用。通常这些新型器件测试要求更?的电压和功率?平，更快的开关时间，对测试设备及人员技术要求?，在研发时间与成本的双重压力下，全参数测试成为不少制造商的难题。

我们的优势

广电计量积极布局新型IGBT及第三代半导体器件全参数测试业务，引进优质测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时，广电计量通过构筑检测认证与分析?体化平台，为客?提供器件可靠性验证及失效分析，帮助客户分析失效机理，指导产品设计及?艺改进。

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